美光在本周一场活动上介绍了下一代 3D NAND G11。据 Tom's Hardware 报道，公司披露这代产品将把存储密度提高约一倍，I/O 性能相对现有 NAND 提升 50%，并降低功耗，计划 2027 年下半年进入量产。报道称，为达到这些目标，美光准备采用晶圆对晶圆（wafer-on-wafer）键合，并认为这一做法借鉴了长江存储（YMTC）。美光同时还在开发新材料与更密集的存储单元架构，以便在 G11 之后继续推进 3D NAND 缩放。
Tom's Hardware 称，G11 相对美光当前的 G9（N160）是一次幅度较大的升级。公司预计，新内存的位密度约为 G9 的两倍，I/O 速度最多提升 50%，每比特数据传输能耗降低超过 25%。
同一段里，报道用带问号的对照写出两组具体数值：3D TLC 密度从 21 Gb/mm² 到 42 Gb/mm²，接口速度从 3,600 MT/s 到 5,400 MT/s。
G11 层数超过 400 层。美光未披露有效字线层数，也未说明堆叠层数（memory decks），但称该技术的存储单元间距处于业界领先。Tom's Hardware 写道，这暗示密度提升同时来自层数增加和单元尺寸缩小。美光预计在 2027 年、更接近下半年大规模量产时，再公布更多技术细节。
报道还称，这些改进应会惠及客户端与数据中心的传统大容量 SSD，以及需要更高带宽和能效的新兴 AI 存储设备。原文用的是“should benefit”，属于媒体判断。
G11 的关键变化之一是晶圆对晶圆键合。美光可以把器件的不同部分做在不同晶圆上、使用不同工艺：用新的 3D NAND 节点制造存储阵列，用逻辑工艺制造外围电路和 I/O，再把晶圆键合到一起。公司此前数代采用的是 CMOS-under-array 架构。Tom's Hardware 指出，键合多出来的灵活性，是让存储阵列和外围逻辑能够分别优化。
美光总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 在本周活动上说，公司以前说过，会在成本划算、且这项能力对当时产品规格重要时引入晶圆对晶圆键合，“this is the right timing for that technology”。他称 G11 是“world's most advanced NAND”，将于明年下半年量产爬坡（ramp），并基于晶圆对晶圆键合。
DeBoer 表示，G11 之后公司有一条路线图，当天不准备细讲，重点是新材料、把单元架构做得更密，并继续沿 X、Y、Z 三个方向缩放。他还说，当前行业方向和美光的方向，都是既增加层数，也缩小单元尺寸。
Tom's Hardware 称，美光正在开发其描述为突破性的高迁移率材料、超高密度单元架构，以及更节能的器件和数据通路。这些技术有可能改善晶体管特性、进一步缩小存储单元尺寸，并降低在 NAND 器件内部搬运数据所需的能量。公司尚未披露 G11 之后各代的具体架构细节、密度目标或量产时间表。
