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3D NAND
专题文章
美光披露 G11 3D NAND:超过 400 层,计划 2027 年下半年量产
美光披露下一代 3D NAND G11:位密度约为 G9 的两倍,I/O 速度最多提升 50%,每比特传输能耗降低超过 25%,层数超过 400 层,将采用晶圆对晶圆键合,计划 2027 年下半年量产。
硬件与数码
2026-10-24
2026-10-24
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