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美光披露 G11 3D NAND：超过 400 层，计划 2027 年下半年量产

美光披露下一代 3D NAND G11：位密度约为 G9 的两倍，I/O 速度最多提升 50%，每比特传输能耗降低超过 25%，层数超过 400 层，将采用晶圆对晶圆键合，计划 2027 年下半年量产。

硬件与数码 2026-10-24 2026-10-24
美光：今年 Q3 投产首款车用通用闪存 UFS 3.1 解决方案

美光在台北电脑展发布首款车用UFS 3.1闪存，将于2021年第三季度投产，面向智能座舱与ADAS提供高吞吐存储，并透露已加入高通骁龙汽车平台。

硬件与数码 2021-06-02 2021-06-02

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