朗道 Silex（Langdao Silex）在第 26 届中国国际工业博览会上发布首款极紫外（EUV）光源原型。据 TrendForce 引述集微网与《解放日报》，现场工作人员称该系统国产化率 90%，核心部件多为自研，技术路线与国际主流供应商相近，可用于芯片曝光测试。公司公布的低功率型号 EUV 输出超过 15 W，但展会现场并未点亮演示；技术人员表示，距大规模商业化量产仍需三到五年。
据 TrendForce 报道，ICsmart 引述朗道 Silex 官网：低功率光源 FlintNano LPP-OXXO 采用激光等离子体（LPP）技术，驱动激光功率 1000 W，重复频率 1–20 kHz，转换效率超过 2%，亮度 100 W/mm²sr，EUV 输出超过 15 W。系统可连续运行 100 小时以上，等离子体尺寸 60 μm，等离子体稳定性 3% RMS，能量稳定性 5%。Tom's Hardware 对这一 LPP 路线的描述是：用高能激光脉冲轰击微小的受热金属液滴，形成高温等离子体并发出 EUV 辐射，与 ASML 现用光源的路径相同。
ICsmart 称，高功率 FlintMicro-LPP 系列已完成原理验证，低功率 FlintNano-LPP 系列已进入产品化阶段。Tom's Hardware 补充，高功率系列的输出功率、转换效率与运行寿命均未披露。
公司技术人员称，该原型距大规模商业化量产还需三到五年，还要做进一步工程开发与优化，主要难点是提高输出功率和长期运行稳定性。TrendForce 注明，这一说法来自 EE Times China。
据 ICsmart，商用光刻系统通常需要数百瓦、且能持续可靠运行的 EUV 光源。ASML 自 2018 年起在量产中使用 250 W EUV 光源，并在向 1000 W 推进。TrendForce 引述 ICsmart 指出，从约 15 W 提升到商用所需的数百瓦，除功率外，还需要改善等离子体稳定性、光源寿命和系统集成可靠性。
Tom's Hardware 写道，原型在展会上没有点亮演示，目前公开信息都来自公司本身，无法验证，其中包括连续运行 100 小时以上。公司未说明 90% 国产化率按部件数量、价值还是其他口径计算。
该报道推测，超过 15 W 可能是在等离子体处测量，而不是 ASML 采用的中间焦点（intermediate focus）。依据是：公司未披露测量位置，也未展示完整的 EUV 收集系统。若测的是等离子体处辐射，按行业通行口径，可用功率会明显低于 15 W。这是 Tom's Hardware 的推测，公司并未证实测量点。
Tom's Hardware 援引的历史数据是：Cymer 的 LPP 光源 2012 年装在早期 NXE:3100 系统上做晶圆曝光时，功率最高约 11 W；ASML 于 2018–2019 年推出 250 W 级、用于商业生产的光源。该报道还称，ASML/Cymer 大约用六年，把 LPP 光源在中间焦点处的输出从 11 W 提升到 125–150 W。文章同时说明，历史上各家数据的测量条件与运行时长不同，直接对比并不可靠。
同一篇报道指出，完整 EUV 光刻机还需收集与照明光学、高精度多层反射镜、晶圆台与掩模台等，这些在中国几乎还没有对应供应链。即便如此，这款光源仍可支持 EUV 光刻胶开发、掩模检测研究和实验性曝光测试。
Tom's Hardware 称，朗道 Silex 成立于 2024 年，由清华大学气体放电等离子体实验室校友创办。TrendForce 引述 ICsmart 及公司官网称，公司开发面向半导体光刻的高功率 LPP-EUV 光源，应用也延伸到光刻胶与光掩模检测设备。
