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EUV光刻

专题文章

中科院微电子所在“极紫外 EUV 光刻基板缺陷补偿”方面取得新进展

近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得进展。中国科学院消息显示，微电子所研究员韦亚一课题组与北京理工大学教授马旭课题组合作，提出了一种基于遗传算法的改进型掩模吸收层图形的优化算法

综合资讯 2021-09-16 2021-09-16
半导体分析机构：阿斯麦 ASML 是英特尔追上台积电的“救世主”

日前, 知名半导体分析机构 SemiWiki 撰文分析了英特尔公司的发展前景, 认为光刻机供应商 ASML 对英特尔的未来至关重要。文章认为，如果英特尔有任何希望从台积电手中夺回“后摩尔定律竞赛”的领先地位，那么它迫切需要 ASML 的帮助。目前，台积电在 EUV 工具数量和经验 ...

软件资讯 2021-09-12 2021-09-12
抛弃纳米制程叫法、开启半导体埃米时代：英特尔公布技术路线图，启动芯片代工服务

英特尔甩出两大突破性技术，要开启半导体的埃米时代

综合资讯 2021-07-27 2021-07-27
台积电 3nm 进度超前背后：关键突破性技术揭秘

刘德音不仅透露了台积电先进 3nm 工艺的研发进度提前，而且讨论了包括 EUV、新晶体管、新材料、芯片封装、小芯片、系统架构等一系列通向未来的突破性半导体技术

综合资讯 2021-02-23 2021-02-23
SK 海力士 M16 新厂竣工，将首次使用 EUV 光刻机生产

存储芯片厂商 SK 海力士 2 月 1 日宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的 M16 新厂已经竣工，SK 海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片

综合资讯 2021-02-02 2021-02-02
解密美光最新 1α内存工艺：性能提升 40%，与三星掰手腕

美光本周二公布其用于 DRAM 的 1α新工艺，该技术有望将 DRAM 位密度提升 40%，功耗降低 15%

综合资讯 2021-01-29 2021-01-29

EUV光刻

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