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EUV光刻

专题文章

中科院微电子所在“极紫外 EUV 光刻基板缺陷补偿”方面取得新进展

中科院团队提出一种基于遗传算法的掩模图形优化方法，可补偿极紫外光刻基板缺陷，提升成像保真度与修正效率。

综合资讯 2021-09-16 2021-09-16
半导体分析机构：阿斯麦 ASML 是英特尔追上台积电的“救世主”

本文分析英特尔能否借 ASML 的高 NA EUV 早期采用扭转对台积电的落后，回顾台积电因苹果需求转向 EUV 而领先，并指出英特尔需承担风险换设备优先权的行业前景。

软件资讯 2021-09-12 2021-09-12
抛弃纳米制程叫法、开启半导体埃米时代：英特尔公布技术路线图，启动芯片代工服务

英特尔发布全新制程节点命名体系与至2025年路线图，涵盖Intel 7至18A及RibbonFET等突破，并公开EMIB、Foveros等先进封装方案与代工客户进展。

综合资讯 2021-07-27 2021-07-27
台积电 3nm 进度超前背后：关键突破性技术揭秘

本文系统梳理台积电董事长刘德音在2021年ISSCC开幕演讲的重点，介绍了3nm工艺进度超前、EUV光源功率达350W、GAA纳米片结构、小芯片与3D封装等驱动芯片持续微缩的半导体创新技术。

综合资讯 2021-02-23 2021-02-23
SK 海力士 M16 新厂竣工，将首次使用 EUV 光刻机生产

SK海力士位于韩国利川的M16芯片厂竣工，首次引入EUV光刻机，计划6月量产1α DRAM，正值全球芯片短缺。

综合资讯 2021-02-02 2021-02-02
解密美光最新 1α内存工艺：性能提升 40%，与三星掰手腕

美光发布1α DRAM新工艺，位密度提升40%且功耗降15%，并说明因成本与生产难度近期不引入EUV光刻，延续DUV至后续节点。

综合资讯 2021-01-29 2021-01-29

EUV光刻

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