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P探测器(硬件监视程序)是一个显示于桌面的硬件信息监视程序。
包含cpu使用率、cpu温度、内存容量使用情况、Pages/sec 计数器、硬盘温度、硬盘容量使用率、Start/Stop Count、Power-On Hours (POH)、Avg.Disk Queue Length计数器、cpu风扇转速、主板温度、网络流量
运行需要.net framework 2.0或以上版本支持、vc2008运行库
测试平台 windows xp 通过，win7 64位无法加载程序驱动，VMware虚拟机不能运行，其他平台未知
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在P型半导体中空穴浓度较高，在N型半导体中电子浓度较高。两者结合在一起时，载流子将由高浓度区向低浓度区扩散，结果在两者附近形成一个结区，如图4-3-1所示。在结区基本上不存在自由载流子，只有施主和受主的离子，形成一个空间电荷区，N型一侧带正电，P型一侧带负电，构成一个内部电场，电场将阻止载流子继续扩散。如果在空间电荷区产生电离形成自由载流子，将立即把电子拉向N区，空穴拉向P区。不可能存在自由载流子，所以PN结区称为“耗尽层”。当给PN外加电压，反向偏置时，即电源正端接N区，负极接P区，使空间电荷电场增强。电子和空穴分别向正端和负端扩散，结果使“耗尽层”的宽度增大。耗尽层即为探测器的灵敏区。在电压反向偏置下，耗尽层电阻率极高，相当于外加电压全加在耗尽层端；而P区和N区，自由载流子浓度很高，电阻率很低，相当于两个电极。探测的射线进入灵敏区（耗尽层），产生电离，生成大量电子-空穴对。在电场作用下，电子和空穴分别迅速向正、负两极漂移、被收集，在输出电路中形成脉冲电信号。金硅面垒半导体探测器就是以N型硅单晶作基片。将基片经酸处理后形成一氧化层，并在氧化层上镀一层金膜（约10 nm厚）。在靠金膜的氧化层具有P型硅特性，在基片背面镀镍接电源正极，金膜与铜外壳接触接电源负极，氧化层构成PN结耗尽层为金硅面垒探测器的灵敏区。目前金硅面垒探测器灵敏区厚度最大可做到2 mm。一般做成圆片状。金硅面垒探测器，由于耗尽层厚度较薄，主要用于探测带电重粒子（如α、p等），亦可用作能谱测量，探测效率近于100%。也可用于β射线测量，对γ射线不灵敏。几种常用金硅面垒探测器特性列于表4-3-1。图4-3-1 PN结形成及其特性表4-3-1 几种金硅面垒探测器主要特性
采用高品质气体传感器，微处理器结合精密温度传感器能够智能补偿气敏元件的漂移，环境适应范围宽，工作稳定，无需调试，采用挂片壁挂安装方式，安装简单，接线方便，广泛用于家庭、宾馆、公寓等存在一氧化碳气体的场所进行安全监控。当环境中一氧化碳气体浓度达到设定阈值时，能发出声光报警信号, 联网型还可以联网型还可以输出报警信号给相应的报警主机。当周围环境可燃气体浓度降到响应阈值以下时，处于报警状态的探测器将自动恢复到正常工作状态。
探测器，一般又叫 嗅探器， 通常是 扫描某台电脑 或者 某个网段的电脑，是否有漏洞， 是否有可以利用的地方。 通常是做网络安全 或 攻击别人的工具
PSD 是基于横向光电效应的光电位置敏感器件。横向光电效应又称侧向光生伏特效应或殿巴（Dember）效应。半导体光照部分吸收入射光子能量后产生电子空穴对，使该部分载流子浓度高于未被光照部分，因而出现了载流子浓度梯度，形成载流子的扩散。由于电子迁移率比空穴的大，因此电子首先向未被光照部分扩散，致使光照部分带正电，未被光照部分带负电，两部分之间产生光生电动势的现象称为横（侧）向光生伏特效应。当有光照射到 PSD 感光区，就会发生横向光电效应，在投射位置上就会产生电动势。由于 P 层的阻抗是均匀分布的，这样在 P 层两电极上聚集的光电流入射光位置和电极之间的距离成反比。假设光束入射到光敏面所产总的光电流为 I0，P 层两电极输出的光电流分别为 I1 和 I2，显然有 I0= I1+I2，I1 和 I2 的分流大小关系取决于入射光点的位置到电极间的等效电阻。
